
| Производитель | NXP USA Inc. |
| Артикул производителя | MW6S004NT1 |
| Описание | РЧ MOSFET LDMOS 28 В PLD-1.5 |
| MW6S004NT1 | |
| Производитель | NXP USA Inc. |
| Артикул производителя | MW6S004NT1 |
| Описание | РЧ MOSFET LDMOS 28 В PLD-1.5 |
| Внутренний артикул клиента | |
| Подробное описание | РЧ MOSFET 28 В, 50 мА, 1,96 ГГц, 18 дБ, 4 Вт, PLD-1.5 |
| Техническое описание | Техническое описание |
| EDA/CAD модель | Модель MW6S004NT1 |
| Категория Дискретные полупроводниковые компоненты Транзисторы FET, MOSFET RF FET, MOSFET |
Ток — испытательный 50 мА |
| Производитель NXP USA Inc. |
Мощность — выходная 4 Вт |
| Упаковка Лента и катушка (TR) Отрезная лента (CT) Digi-Reel® катушка для заказной нарезки (Digi-Key) |
Напряжение — номинальное 68 В |
| Статус компонента Снято с производства |
Тип монтажа Поверхностный монтаж |
| Технология LDMOS |
Корпус PLD-1.5 |
| Частота 1,96 ГГц |
Корпус поставщика PLD-1.5 |
| Коэффициент усиления 18 дБ |
Базовый артикул продукта MW6S004 |
| Напряжение — испытательное 28 В |
| Техническое описание MW6S004NT1 |
PCN изменение продукции/снятие с производства DK OBS NOTICE |
| Экологическая информация Сертификат RoHS NXP USA Inc REACH NXP USA Inc |
EDA-модель Модель MW6S004NT1 |