
| Производитель | Infineon Technologies |
| Артикул производителя | IRF3205PBF |
| Описание | MOSFET N-канальный 55 В 110 А TO220AB |
| IRF3205PBF | |
| Производитель | Infineon Technologies |
| Артикул производителя | IRF3205PBF |
| Описание | MOSFET N-канальный 55 В 110 А TO220AB |
| Внутренний артикул клиента | |
| Подробное описание | Сквозной монтаж, N-канал, 55 В, 110 А (Tc), 200 Вт (Tc), TO-220AB |
| Техническое описание | Техническое описание |
| EDA/CAD модель | Модель IRF3205PBF |
| Категория Дискретные полупроводниковые компоненты Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
Vgs(th) (макс.) при различных Id 4 В при 250 мкА |
| Производитель Infineon Technologies |
Заряд затвора (Qg) (макс.) при различных Vgs 146 нКл при 10 В |
| Серия HEXFET® |
Vgs (макс.) ±20 В |
| Упаковка Туба |
Входная ёмкость (Ciss) (макс.) при различных Vds 3247 пФ при 25 В |
| Статус компонента В продаже |
Рассеиваемая мощность (макс.) 200 Вт (Tc) |
| Тип FET N-канал |
Рабочая температура -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Технология MOSFET (металл-оксид-полупроводник) |
Тип монтажа Сквозной монтаж |
| Напряжение сток-исток (Vdss) 55 В |
Корпус поставщика TO-220AB |
| Ток непрерывного стока (Id) при 25 °C 110 А (Tc) |
Корпус TO-220-3 |
| Напряжение управления (макс. Rds On, мин. Rds On) 10 В |
Базовый артикул продукта IRF3205 |
| Сопротивление в открытом состоянии (макс.) при различных Id, Vgs 8 мОм при 62 А, 10 В |
| Техническое описание IRF3205 |
PCN: проектирование/спецификация Изменения маркировки нескольких устройств 8/сент./2021 |
| Другая сопутствующая документация Система обозначений артикулов IR |
PCN по упаковке Обновление маркировки со штрих-кодом 24/февр./2017 |
| Учебный модуль по продукции Высоковольтные интегральные схемы (драйверы затворов HVIC) |
EDA-модель Модель IRF3205PBF |
| Рекомендуемые продукты Системы обработки данных |
Имитационная модель Saber-модель IRF3205PBF |